聊聊网传的“8nm光刻机”：这是干式光刻机，造不出来28nm工艺

作者/星空下的牛油果 编辑/菠菜的星空 排版/星空下的绿豆汤 9月以来，消费电子行业消息不断。 具体来看：9月7日，华为三折叠屏手机开启预定；9月10日，苹果....

来源：橙子不糊涂（微信公众号）

终于有机会聊点半导体，这个事儿挺有价值，之前就发布了，大概看了一下没在意。但不知道为什么十来天后突然发酵了。

核心：

1，这是干式光刻机，造不出来28nm工艺；8nm光刻机纯扯；

2，28nm光刻机实际上是ArFi浸没式光刻机，虽然不该“28nm光刻机”这么叫，但是这么叫好理解，就是可以用在28产线上的光刻机。

这个和干式的区别就是曝光系统模组下有没有水作为介质；光从玻璃，经过水作为介质，折射角要远小于空气，所以193nm的波长等效为134nm波长。

A L的193nm浸没式光刻机，能实现大约22nm左右的单次曝光。实际g e length 并不是22nm，但是这不太重要。因此28nm不需要多曝来实现，用不着。

从公开的这个信息，这是干式光刻机，只能做65nm工艺。

3，多重曝光：用在浸没式工艺技术里面，主要生产14nm-7nm“先进制程”工艺。别说28nm了，14nm用多曝现在都有点勉强，昂贵、复杂，要改良到比如12，10，性能提升一些价格不变会好一点。当年台积电和3星都在14nm节点大力搞多曝，抢苹果。

后来到了7nm用一下，也因为太昂贵，效率太低，在台积电就生存了一年，就转用EUV了。

多重曝光的手艺是当年intel投入重金搞的，结果后来还沉迷不可自拔…

多曝有LELE，LFLE和SADP/SAQP三种。

LELE，Lith-Etch-Lith-Etch，光刻-刻蚀-光刻-刻蚀。把原来一层光刻图形，划分到两个或多个掩膜上，搞了一次图像叠加。这个好想象。

LFLE，Ltiho-Freeze-Ltiho-Etch，光刻-固化-光刻-刻蚀。和LELE本质差不多，省一道刻蚀工序，降低成本。

SADP是SelfAlignedDoubleP terning自对准双重图形化以及SAQP四重曝光技术（好像前一段时间华为弄了个4重曝光的专利）。本质原理都差不多。

重点是：4曝也是Intel在10nm以后搞的，玩的不亦乐乎，结果突然EUV来了，Intel大呼上当。我在练射箭手艺，你给台积电造了一把冲锋枪。

我的观点很明确：多曝搞先进制程没有经济价值，甚至于对于当前的中国，连工艺研发和产业价值都有限。我们落后太多了，后追者不可能遵循摩尔定律，这是领先研发的节奏。

确实战略意义重大， 了生存问题，突破了封锁。但经济利益有限，不过产业节奏会跨越式发展。

我们不可能65，40，28，14，7迭代的去做。必须就是快速的完成ArFi->EUV，DUV做到14小规模搞一搞产能（乐观的话可能3-5年时间），主要是在设备制造工程领域的积累。上微可以和手艺好的客户合作多曝弄点7nm，然后就是要做EUV，这个过程毛估估也得10年起步。

华为可以搞，因为华为太超前了，不计代价弄一点等效5nm的手艺，已经登峰造极，其实工艺没太大量产意义…良率必然低，成本必然极高，也不算什么技术上的突破，是一种雕花工艺，但达成目标确实很牛。产能也会有限，但没办法我们没有EUV。

4，套刻精度：8nm，跟所谓8nm光刻机一分钱关系没有。之后有机会再单独讲套刻精度，这个比较有意思。

5，关于进度：

我理解这些都算是公开信息，老外早就各种报道了。

实际上，之前有一些资深的业内朋友在讲今年就会有明显进步，但目前看…

光刻机到了量产阶段，稳定性压倒一切。我们要保证这个复杂的机器能够稳定、 的工作若干年。
6，关于光刻机的投资行情：

有点牵强…市场期待的是28nm，甚至14nm光刻机量产，对应1970i，1980i的水平。所以一点消息快两周了，今天突然上了热搜。

这种东西需要持续催化才行，最起码要无法证伪。但是现在证伪太容易了。所以没行情，肯定没持续行情。

真的还是要等ArFi官宣，一波确定的 主线机会就来了。

（全文完）